檢索結果：共16筆資料 檢索策略： "memory".ekeyword (精準) and year="102"
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隨著製程進步電晶體縮小，使得記憶體密度提高之外，也造成良率與可靠度的下降，提升良率與可靠度也是先進記憶體有待改善的共同課題。本篇論文針對兩種新興的記憶體组 NROM 及 PCM 提出良率與可靠度的改…
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本文針對短記憶理論應用於具分數階微分動力系統之可行性執行分析。為配合短記憶理論對分數階微分之短記憶處理，本研究根據Riemann-Liouville分數階微分之定義，並以Newmark法作為數值解析…
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演色指數為評價光源優劣的重要工具，現行的CIE演色指數已使用40多年，為針對CIE標準照明體所設計，計算公式採用CIE演色公式(CIE-Ra)，隨著新式光源的開發，舊制的CIE演色指數已不敷使用，無…
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NAND型快閃記憶體已經應用於許多消費性電子產品及嵌入式系統中，因為它擁有非揮發、低功率以及存取速度快等優點。應用於快閃記憶體控制的主流架構為多通道控制器架構，每個通道相當於一個匯流排，該架構於一個…
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市面上的產品外觀不斷的推陳出新，使得產品在操作與使用時產品所呈現的方式也越來越多樣。而人類在操作產品的同時，是仰賴過去記憶對於類比使用方式和傳統上對於產品的操作認知。本創作研究目的旨在了解產品操作背…
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隨著半導體製程技術的進步，系統晶片 (SOC) 中使用的嵌入式記憶體容量與密度越來越高，而導致記憶體故障更容易發生。因此，記憶體的良率很大程度決定系統晶片的良率。單一位元故障占所有故障形態比例最高，…
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In recent years, flash memory has been widely used in embedded systems, portable devices, and high-…
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NAND型快閃記憶體已被廣泛應用在嵌入式系統和消費電子產品，由於它具有低功耗、快速存取、非揮發性、高抗震等特色。現今，SSD的架構大多採用多控制器架構來處理NAND型快閃記憶體晶片。在傳統多控制器的…
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NAND 型快閃記憶體儲存系統中，需要一個中介層稱為快閃記憶體轉換層(FTL)，此轉換層主要被用來隱藏快閃記憶體本身的特性並且對快閃記憶體提供有效率的管理。目前快閃記憶體轉換層被歸類成頁面映像方法、…
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本研究以Ti及ITO作為電阻式記憶體之電極，並藉由Ti金屬之高氧化勢而自身氧化成TiOx電阻層，因此可在無需額外濺鍍電阻層下製成Ti/ITO與ITO/Ti之電阻式記憶體。 TiN/Ti/TiOx/I…